单结晶体管 (Unijunction Transistor, 简称 UJT )，台湾称单接合面电晶体，是一种只具有一个 PN 接面的三端子半导体元件，三个端子分别是射极 (E)、基极一 (B1)、与基极二 (B2)。

单结晶体管的基极通常是由棒状的、轻掺杂的 N 型硅质半导体构成，两端分别以欧姆接触连出 B1、B2 两基极端子。射极则是由重掺杂的 P 型硅质半导体构成。当射极开路时，两基极 B1、B2 间的电阻值称为“基极间电阻”。

工作时两基极给与偏压，当射极的电压高于射极所在的基极分压点上的电压加二极管的导通电压时，射极开始导通，由于基极只有轻掺杂，导通后对基极区域产生的调制作用，使电阻下降，而更有利于导通，因而产生负电阻效应。

在1960年代至1970年代，单结晶体管在业余爱好者的电子电路中很普遍，因为它可以用很简单的线路，只用一颗主动元件就作成弛张振荡器（例如方波振荡器）。但自从集成电路的使用逐渐普及后，更多的应用转而使用 555 定时器 IC。

除了作弛张振荡器之外，UJT 与 PUT 的另一主要用途是作为闸流体的触发控制。

在日本旧有的标准半导体编号中，原配予单结晶体管所使用的 2SH 字头，已改配予 N 通道 IGBT 使用。 2SH 编号的 UJT、PUT 在日本厂商中实已成废弃品类。