非辐射结合生命期（Non-radiative life time）是半导体中导带的电子和在电洞非辐射性复合之前，电子可以维持的平均时间。对于需要用辐射性复合来产生光子的光电工程而言，非辐射结合生命期是一项重要的参数。若非辐射结合生命期较辐射结合生命期短很多，此载子的行为比较接近非辐射结合（英语：Non-radiative recombination），因此其内在量子效率较低。